微波暗室的性能指標主要由靜區的特征來(lái)表征。靜區的特性又以靜區的大小、靜區內的大反射電平、交叉化度、場(chǎng)均勻性、路徑損耗、固有雷達截面、工作頻率范圍等指標來(lái)描述。影響微波暗室性能指標的因素是多元化的，也是很復雜的，在利用光線(xiàn)發(fā)射法和能量物理法則對暗室性能進(jìn)行仿真計算時(shí)，需要考慮電波的傳輸去耦，化去耦，標準天線(xiàn)的方向圖因素，吸收材料本身的垂直入射性能和斜入射性能，多次反射等影響。但在實(shí)際的工程設計過(guò)程中，往往以吸收材料的性能作為暗室性能的關(guān)鍵決定因素。

1)交叉化度：由于暗室結構的不嚴格對稱(chēng)、吸收材料對各種化波吸收的不一致性以及暗室測試系統等因素使電波在暗室傳播過(guò)程中產(chǎn)生化不純的現象。如果待測試天線(xiàn)與發(fā)射天線(xiàn)的化面正交和平行時(shí)，所測試場(chǎng)強之比小于-25dB，就認為交叉化度滿(mǎn)足要求。

2)多路徑損耗：路徑損耗不均勻會(huì )使電磁波的化面旋轉，如果以來(lái)波方向旋轉待測試天線(xiàn)，接收信號的起伏不超過(guò)+-0.25 dB，就可忽略多路徑損耗。

3)場(chǎng)均勻性：在暗室靜區，沿軸移動(dòng)待測試天線(xiàn)，要求起伏不超+-2dB；在靜區的截面上，橫向和上下移動(dòng)待測天線(xiàn)，要求接收信號起伏不超過(guò)+-0.25 dB。

天線(xiàn)測量的誤差

1)有限測試距離所引起的誤差

設待測的是平面天線(xiàn),接收的來(lái)波沿其主波束的軸向.若測試距離大小,由待測天線(xiàn)之不同部位所接受的場(chǎng)不能相同,因此具有平方根律相位差。若待測天線(xiàn)恰位于源天線(xiàn)遠場(chǎng)區的邊界2D2/λ,其口徑邊緣與相位中心的場(chǎng)存在22.5度的相位差.若測試距離加倍,在相位差減半。

對于測量中等旁瓣電平的天線(xiàn),距離2D2/λ通常已經(jīng)足夠,測出的增益約偏小0.06dB.測試距離縮短會(huì )使測量誤差迅速增大,旁瓣會(huì )與主波束合并成肩臺式,甚至合為一體.通常0.25dB的錐銷(xiāo)使測出的增益降低約為0.1 dB,并造成近旁瓣的些許誤差。

反射

直射波受從周?chē)矬w反射的干涉,在測試區域形成場(chǎng)的變化,由于該波波程差作為位置的函數而迅速變化,使起伏的長(cháng)度屬于波長(cháng)的數量級..例如比直射波低20 dB的反射波,可引起-0.92～+0.83 dB的功率誤差.，具體取決于兩種之間的差異；相位測量的誤差范圍為±5.7°。但若反射波的場(chǎng)比直射波低40dB，則側出的幅度與相位分別少有±0.09與±0.6°的誤差。

反射在低旁瓣的測量中特別有害.一項很小的反射通過(guò)主瓣耦合到待測天線(xiàn),可以完全掩蓋住耦合到旁瓣的直射波.如果相耦合的直射和反射波強度相等,則測出的旁瓣電平會(huì )抬高6 dB左右,或者在測得的波瓣圖中成為零點(diǎn)。

誤差

還可能導致天線(xiàn)測量產(chǎn)生誤差的因素有：

低頻時(shí)與電抗近場(chǎng)的耦合可能比較顯著(zhù)，測量天線(xiàn)的對準誤差，其他干擾信號，測試電纜所引起的誤差等。

如果要想提高微波暗室實(shí)際使用效果以及性能要素，就得充分考慮那些會(huì )影響到其性能指標的因素，畢竟有些因素是無(wú)法避免的，只能盡量克服它們，從而使微波暗室展現出較好的性能。